IT之家 10 月 22 日消息，Micron（美光）于当地时间昨日召开了 2026 年度技术网络研讨会，讨论了 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 的发展方向，本部分主要关注基础 DRAM 技术。
美光认为，经过二十多年的技术探索，4F² DRAM 因复杂度和成本方面的不足，缺乏可行的规模化路径。在传统 2D 6F² DRAM 面临尺寸缩小瓶颈的情况下，美光将 3D DRAM 选定为未来的技术路线。
IT之家注意到，长鑫存储此前宣布计划在年内推出 4F² 混合键合 DDR5 RDIMM，同时有消息称三星电子在首代亚 10nm 级 DRAM 上放弃了 4F² 方案。
美光的第 7 代 10nm 级 DRAM 节点 1δ 正处于良率爬坡阶段；第 8 代 10nm 级节点 1ε 将引入晶圆键合技术；第 1 代亚 10nm 级节点 ζÅ 已进入早期开发阶段，将采用 High NA EUV 光刻；第 2 代亚 10nm 级节点 ηÅ 正在探索路径，计划应用新材料。
美光表示，1δ 工艺能实现约 25% 的代际存储密度提升，同时具备优化的成本。这一技术将广泛应用于 HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR 等产品中。
美光还指出，DRAM CMOS 逻辑电路也将实现 3D 化，从而带来显著的性能提升。
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